ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี KBP207G C2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - KBP207G C2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - KBP207G C2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 2 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation KBP207G C2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | KBP207G C2G | KBP208G | KBP208G | KBP206G C2 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | GeneSiC Semiconductor | SMC Diode Solutions | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 50 V | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 800 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | KBP | KBP | KBP |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 2 A | 1.1 V @ 2 A | 1.1 V @ 2 A | 1.2 V @ 2 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 800 V | 800 V | 800 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP | 4-ESIP | 4-SIP, KBP |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล KBP207G C2G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ KBP207G C2G - Taiwan Semiconductor Corporation
KBP206GL-TULITEONKBP208GLLITEONKBP208GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPKBP208GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
KBP206GLLinear Technology / Analog DevicesKBP206G C2Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPKBP208Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 2A KBPKBP206GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
KBP206GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPKBP208GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
KBP206GDI-NDDiodes IncorporatedKBP208G-LSDiodes Incorporated
KBP206GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 600V 2AKBP206_B0_10001-PECPANJITKBP208GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 800V 2A
KBP208GeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPKBP208EIC SEMICONDUCTOR INC.STD 2A, CASE TYPE: KBPKBP206GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที